高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵

• 作者: 刘迪 宁永强 张星 张金龙 王立军
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器列阵 峰值功率 功率密度 InGaAs/GaAsP应变量子阱
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 2147-2153
• 页数: 7页
• 分类号: TN248.1
• 字数: 3423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20122010.2147

摘要

为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977 nm的VCSEL列阵进行了研究.对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08量子阱的带阶.对采用In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08和In0.2Ga0.8As/GaAs两种量子阱结构的器件的输出功率进行了理论模拟和比较分析.分别测试了上述两个列阵器件的脉冲峰值功率并利用由开启电压、阈值电流和串联电阻决定的p参数评估了列阵器件的输出性能.实验结果表明,当注入电流为110 A时,发光面积为0.005 cm2的In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08 4×4 VCSEL列阵获得了123 W的脉冲峰值功率,比具有相同发光面积的In0.2Ga0.8As/GaAs列阵器件的脉冲峰值功率大13％,前者相应的功率密度和斜率效率分别为45.42 kW/cm2和1.11W/A.连续和脉冲工作下的p值分别为15和13,表明器件在两种工作条件下都具有相对较好的输出性能.得到的结果证明,包含3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱的4×4VCSEL列阵器件能够获得较高的功率输出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张星	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室	35	193	8.0	13.0
2	宁永强	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室	49	191	9.0	13.0
3	张金龙	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室	23	188	8.0	13.0
4	刘迪	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室	7	22	3.0	4.0