InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1 054 nm激光器中的应用

• 作者: 刘安平 罗庆春 韩伟峰 黄茂
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物 化学气相淀积 应变量子阱 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1665-1667
• 分类号: TN248.4
• 字数: 911字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102207.1665

摘要

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备.经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1 054 nm.实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1 054 nm激光器的制备,取得了较好的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘安平	重庆大学应用物理系	17	40	4.0	5.0
2	韩伟峰		4	15	3.0	3.0
3	罗庆春		4	16	3.0	4.0
4	黄茂		5	17	3.0	3.0