GaAsSb/GaAs量子阱激光器结构的发光研究

• 作者: C.Navarro S.Chaparro S.Johnson 俞水清 张永航 曹勇 梁晓甘 江德生 王江波 陈志标
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAsSb 量子阱,激光,光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（z1）
• 所属期刊栏目: 发光和光探测器件
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TN24
• 字数: 2916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.z1.002

摘要

研究了GaAsSb/GaAs应变量子阱及应变补偿量子阱激光器结构的光致发光和电注入发光.结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子阱发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响. 同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点. 应变补偿量子阱激光器在波长为1.3μm附近激射,阈值电流密度约为1.8kA/cm2.