1.3μm GaAs基GaInNAs量子阱生长与激光器研制

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs基材料 GaInNAs量子阱 分子束外延 激光器
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 1860-1864
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.035

摘要

报道了中国第一只1.30μm单量子阱边发射激光器的材料生长、器件制备及特性测试.通过优化分子束外延生长参数,调节In和N组分含量使GaInNAs量子阱的发光波长覆盖1.3μm范围.脊形波导条形结构单量子阱边发射激光器,实现了室温连续激射,激射波长为1.30μm,阈值电流密度为1kA/cm2,输出功率为30mW.