键合方法研制InAsP/InGaAsP量子阱1.3μm垂直腔面发射激光器

• 作者: 刘成 劳燕锋 吴惠桢 曹春芳 曹萌 谢正生 龚谦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 晶片直接键合 隧道结
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2286-2291
• 页数: 6页
• 分类号: TN248
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.038

摘要

设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺,研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器,其阈值电流为13.5mA,单模激射波长为1288.6nm.