亚毫安阈值的1.3 μm垂直腔面发射激光器

• 作者: 劳燕锋 吴惠桢 曹春芳 曹萌 龚谦
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 晶片直接键合 应变补偿多量子阱
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物持:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1954-1958
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.03.090

摘要

设计并研制了室温连续工作的单模1.3 μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51 mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29 W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接键合技术融合InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al(Ga)As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO2/TiO2介质薄膜上反射腔镜形成1.3 μm VCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹春芳	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	12	34	4.0	5.0
2	劳燕锋	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	24	69	5.0	7.0
3	曹萌	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	15	61	5.0	7.0
4	吴惠桢	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	23	87	6.0	7.0
5	龚谦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	22	55	5.0	6.0