硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制

• 作者: 于丽娟 李敬 杜云 赵洪泉 黄永箴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基激光器 连续激射 直接键合
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1117-1120
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2355字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.023

摘要

采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永箴	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	47	229	9.0	12.0
2	于丽娟	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	16	56	5.0	6.0
3	杜云	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	21	67	5.0	7.0
4	李敬	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	24	106	6.0	10.0
5	赵洪泉	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	2	11	2.0	2.0