InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池结构的优化研究

• 作者: 董少光 陈国杰
• 来源期刊: 佛山科学技术学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: InP/InGaAsP/InP 多量子阱 太阳电池
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1771字
• 语种: 中文

摘要

用金属纳米粒子沉积在InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池表面，利用光散射来研究该电池改善后的光电性能。金属纳米粒子对量子阱太阳电池器件光电性能的作用结果是：用量子阱层与周围材料反射系数的差异来限制不同方向的入射光进入太阳电池器件侧面的传播路径。量子阱太阳电池通过这种结构优化设计，对于硅和 Au 纳米粒子，可以观察到短路电流密度分别增加了12.9%和7.3%，输出最大功率的转换效率分别增加了17%和1%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董少光	佛山科学技术学院光电子与物理学系	24	34	3.0	5.0
2	陈国杰	佛山科学技术学院光电子与物理学系	59	280	9.0	14.0