MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器

• 作者: 任大翠 吴根柱 张兴德 张子莹
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微碟激光器 干法刻蚀 光泵浦 湿法刻蚀 品质因数
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1057-1062
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3973字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.022

摘要

用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个制备工艺过程．在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射，测出单个微碟激光器的阈值光功率为150μW,激射波长约为1.6μm，品质因数Q=800，激射光谱线宽为2nm，同时指出微碟激光器激射线宽比F-P普通激光器宽很多是由于其品质因数很高造成的．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任大翠		5	12	2.0	3.0
2	吴根柱		3	10	2.0	3.0
3	张子莹		1	6	1.0	1.0
4	张兴德		3	9	2.0	3.0