应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用

• 作者: 俞波 廉鹏 李建军 沈光地 盖红星 邓军 邢艳辉 邹德恕 韩军
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2143字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.015

摘要

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.