大应变In0.3Ga0.7As/GaAs量子阱激光器的生长和研究

• 作者: 任忠祥
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变量子阱激光器 MOCVD 生长中断 应变缓冲层
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 707-710
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.06.013

摘要

金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任忠祥		3	8	2.0	2.0