980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

• 作者: 宋爱民 张莹 王培界
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 单量子阱 压应变 Al组分 金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD) 转换效率
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 212-216,221
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3979/j.issn.1673-825X.2012.02.017

摘要

对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计.通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响.根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术外延生长了激光器的材料,并进行测试.测试结果表明,在室温下,当工作电流为1A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A(采用150 μm×500 μm,未镀膜器件),输出功率为400 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张莹	重庆邮电大学光电工程学院	6	40	3.0	6.0
2	宋爱民	重庆教育学院图书馆	8	74	3.0	8.0
3	王培界		5	20	3.0	4.0