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摘要:
本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.
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关键词热度
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文献信息
篇名 不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱
来源期刊 量子电子学报 学科 工学
关键词 表面光伏谱 应变量子阱 形变势模型
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目 光谱
研究方向 页码范围 115-118
页数 4页 分类号 O433.5+9|TN248.4
字数 3342字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2002.02.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡加法 厦门大学物理系 27 107 6.0 8.0
2 李明 厦门大学物理系 13 78 5.0 8.0
3 沈文忠 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室 35 210 7.0 13.0
4 吴正云 厦门大学物理系 33 190 7.0 12.0
5 孔令民 厦门大学物理系 8 24 4.0 4.0
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研究主题发展历程
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应变量子阱
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双月刊
1007-5461
34-1163/TN
大16开
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26-89
1984
chi
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