AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

• 作者: 俞波 李建军 沈光地 盖红星 邓军 邢艳辉 陈建新 韩军
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 应变量子阱 光增益 AlInGaAs 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 85-89
• 页数: 5页
• 分类号: O413|TP13
• 字数: 3544字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.016

摘要

采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学光电子技术实验室	57	219	7.0	10.0
3	韩军	北京工业大学光电子技术实验室	39	181	7.0	11.0
4	李建军	北京工业大学光电子技术实验室	52	234	7.0	12.0
5	陈建新	北京工业大学光电子技术实验室	65	441	11.0	17.0
6	邢艳辉	北京工业大学光电子技术实验室	20	59	5.0	6.0
7	盖红星	北京工业大学光电子技术实验室	5	13	2.0	3.0
8	俞波	北京工业大学光电子技术实验室	3	12	2.0	3.0