混合应变量子阱SOA的增益特性

• 作者: 段子刚
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 工学
• 关键词: SOA 偏振无关 TM模增益 混合应变量子阱 外腔反馈
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1367字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2618.2004.01.006

摘要

报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性.引入张应变量子阱的SOA器件,增益带宽约为50 nm,偏振相关损耗小于1 dB,峰值增益随偏置电流增大蓝移.在高偏置条件下,芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱收缩,增益下降.高性能SOA必须克服芯片剩余反射和抑制外腔反馈.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段子刚	深圳大学光电子学研究所	14	22	4.0	4.0