混合应变量子阱半导体光放大器噪声特性研究

• 作者: 刘德明 姚芳 段子刚 黄德修
• 来源期刊: 华中理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体光放大器 应变量子阱 噪声指数
• 年，卷（期）: 1999,（8）
• 页码范围: 90-92
• 页数: 3页
• 分类号: TN365
• 字数: 1537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.1999.08.032

摘要

研究了直接耦合混合应变量子阱SOA的噪声特性.实验测定SOA在130 mA偏置电流下的噪声指数为7.7 dB,表明应变量子阱结构改善了SOA的噪声性能.理论分析指出,通过消除SOA的剩余反射,其噪声性能可以得到进一步的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄德修	华中理工大学光电子工程系	42	300	10.0	15.0
2	姚芳	华中理工大学光电子工程系	4	8	2.0	2.0
3	刘德明	华中理工大学光电子工程系	14	167	6.0	12.0
4	段子刚	华中理工大学光电子工程系	3	8	2.0	2.0