量子阱半导体光放大器的增益偏振相关性研究

• 作者: 刘德明 黄德修 黄黎蓉
• 来源期刊: 光通信研究
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体光放大器 增益 量子阱 应变
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 68-70
• 页数: 3页
• 分类号: TN72
• 字数: 2221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-8788.2006.04.023

摘要

应用能带计算理论,研究了张应变量大小、量子阱厚度对量子阱半导体光放大器(SOA)中的增益偏振相关性的影响.采用张应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.55 μm的SOA,它可以在较宽的载流子浓度范围、较宽的光波长范围内满足增益对偏振的不灵敏要求.另外,还采用混合应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.31μm的SOA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘德明	华中科技大学光电子科学与工程学院	236	1645	17.0	27.0
2	黄德修	华中科技大学武汉光电国家实验室	245	1938	20.0	28.0
3	黄黎蓉	华中科技大学武汉光电国家实验室	16	78	6.0	7.0