1.55μm张应变InGaAsP/InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计

• 作者: 何国敏 王圩 董杰 邱伟彬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体光放大器 偏振不灵敏 多量子阱
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 11-17
• 页数: 7页
• 分类号: TN722
• 字数: 3114字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.003

摘要

优化设计了1.55μm InGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构.利用k*p方法计算了多量子阱的价带结构,计算中考虑了6×6有效质量哈密顿量.从阱宽、应变、注入载流子密度等方面计算了量子阱模式增益的偏振相关性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董杰	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	26	129	7.0	10.0
2	王圩	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	47	124	6.0	7.0
3	何国敏	厦门大学物理系	7	12	2.0	3.0
4	邱伟彬	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	6	5	1.0	2.0