宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

• 作者: 丁颖 刘志宏 周帆 张瑞英 朱洪亮 王书荣 王圩 田慧良 赵玲娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压应变InGaAs量子阱 张应变InGaAs准体材料 半导体光放大器 偏振灵敏度 增益 饱和输出功率
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 567-570
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 字数: 2740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.027

摘要

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.