InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

• 作者: 宣丽 杜国同 杨树人 殷景志 许武 龙北红
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 应变补偿 偏振不灵敏 半导体光放大器
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 116-119
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.32|O436.3
• 字数: 1494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.009

摘要

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA),将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构.器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构,避免了常规制作SOA的复杂工艺.对样品3在80～125 mA电流范围内,获得了偏振灵敏度≤0.6 dB,最小可达0.1 dB; 较大的电流范围内FWHM值为40 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙北红	吉林大学材料科学与工程学院	10	185	6.0	10.0
2	殷景志	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	15	62	4.0	7.0
4	杜国同	吉林大学电子科学与工程学院	41	204	8.0	13.0
5	宣丽	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	76	641	13.0	22.0
6	许武	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	28	168	8.0	12.0
9	杨树人	吉林大学电子科学与工程学院	16	52	4.0	7.0