1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究

• 作者: 易新建 朱光喜 金锦炎 陈四海 马宏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体技术 MOCVD 偏振无关 AlGaInAs-InP 应变量子阱 半导体光放大器 增益
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 1868-1872
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3312字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.06.048

摘要

采用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)设备生长并制作了1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器,有源区为3周期的张应变量子阱结构,应变量为-O.35%;器件制作成脊型波导结构,并采用7°斜腔结构以有效抑制腔面反射;经蒸镀减反膜后,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于0.3dB,3dB带宽为50 nm,半导体光放大器小信号增益近20dB,带宽亦为50 nm.在1530-1580nm波长范围内偏振灵敏度小于0.5dB,峰值增益波长的饱和输出功率达7dBm;器件增益随温度的升高而减小,当器件工作温度从25℃升高至65℃时,增益降低小于3dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易新建	华中科技大学光电子工程系	102	1261	21.0	29.0
2	陈四海	华中科技大学光电子工程系	46	459	12.0	18.0
3	朱光喜	华中科技大学电子与信息工程系	420	2897	22.0	35.0
4	马宏	华中科技大学光电子工程系	9	42	5.0	6.0
8	金锦炎	武汉大学物理系	1	0	0.0	0.0