AlGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器

• 作者: Ma Hong Yi Xinjian Zhu Guangxi 易新建 朱光喜 马宏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 偏振无关 AlGaInAs-InP 光放大器 MOCVD
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 745-748
• 页数: 4页
• 分类号: TN248
• 字数: 405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.001

摘要

采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了1550nm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器,有源区为3周期的张应变量子阱结构,应变量为-0.40%.器件制作成脊型波导结构,并采用7°斜腔结构以有效抑制腔面反射.经蒸镀减反膜后,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于0.3dB,3dB带宽为56nm.半导体光放大器小信号增益近20dB,带宽大于55nm.在1500～1590nm波长范围内偏振灵敏度小于0.8dB,峰值增益波长的饱和输出功率达7.2dBm.