200K高特征温度的1.3μm AlInGaAs应变单量子阱激光器

• 作者: 刘国军 刘春玲 曲轶 王勇 王玉霞 芦鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 AlInGaAs 特征温度 阈值电流 非对称波导层
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1912-1915
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.011

摘要

在20～80℃范围内连续工作条件下,非对称波导层结构的1.3μm AlInGaAs/AlInAs单量子阱激光器的特征温度为200K,这是目前国内报道的相同有源材料、相同发射波长的激光器中最高的特征温度值.因此AlInGaAs是长波长光纤激光器的理想有源区材料.研究表明非对称波导结构能降低光吸收,提高激光器的高温特性和COD阈值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘春玲	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	8	29	4.0	5.0
2	曲轶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	39	163	7.0	11.0
3	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
4	王玉霞	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	136	6.0	11.0
5	王勇	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	26	43	4.0	5.0
6	芦鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	15	67	3.0	8.0