高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb Ⅰ型量子阱室温工作激光器

• 作者: 孙姚耀 廖永平 张宇 徐应强 杨成奥 柴小力 牛智川 黄书山
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 镓锑基 半导体激光器 量子阱 中红外
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 257-260
• 页数: 4页
• 分类号: O43
• 字数: 788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.03.001

摘要

成功制备出2.6μm GaSb基Ⅰ型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(M BE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3％.制备了脊宽100 μm、腔长1.5 mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328 mW室温连续工作,阈值电流密度为402 A/cm2,在脉冲工作模式下,功率达到700 mW.