InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱

• 作者: 何斌太 刘国军 安宁 方铉 李占国 芦鹏 魏志鹏
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAsSb/GaSb 应变量子阱 能带结构 自发发射谱
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 37-42
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3542字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.111008

摘要

讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性(带阶)的影响.给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系.分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用.研究表明,随In组分的增加,InGaAsSb禁带宽度减小,应力加大,能带漂移增大,InGaAsSb/GaSb导带、价带的带阶减小.同时,利用上述研究结果合理地解释了InGaAsSb/GaSb自发发射谱的增益、发射峰位及半峰宽与In组分关系.研究In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱的影响,可以定性地解释已有的实验报道.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李占国	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	59	247	8.0	13.0
2	芦鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	15	67	3.0	8.0
3	安宁	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	11	2.0	2.0
4	何斌太	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	3	4	1.0	1.0
5	方铉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	37	60	4.0	6.0
6	魏志鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	104	5.0	8.0