InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计

• 作者: 徐刚毅 李爱珍
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 长波长量子阱激光器 能带结构 增益谱鬃
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 218-225
• 页数: 8页
• 分类号: TN24
• 字数: 5197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.01.041

摘要

系统地研究了波长为2.7μm的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计.分别用含应变势的6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构,并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解,由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱.研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元,而是粒子数反转程度,尤其是空穴填充HH1子带的概率.增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益.前者降低了价带HH1子带空穴的平面内有效质量;后者拉大了价带子带间距,尽管它同时略微增加了空穴有效质量.这两种因素都导致价带顶空穴态密度的降低,提高了空穴在HH1子带的填充概率,最终提高了量子阱的增益.所得结论与已有的实验报道相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐刚毅	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	9	33	3.0	5.0
2	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0