采用AlSb缓冲层生长2.3μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

• 作者: 刘国军 尤明慧 李占国 李林 李梅 王晓华 高欣
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: AlSb缓冲层 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱 中红外 锑化物
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 1716-1718
• 分类号: TN24|TN303
• 字数: 1322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB201002208.1716

摘要

针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长.样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散.光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3 μm附近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李占国	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	59	247	8.0	13.0
2	高欣	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	38	214	8.0	13.0
3	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
4	李林	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	30	177	8.0	12.0
5	王晓华		54	156	7.0	9.0
6	尤明慧	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	4	4	2.0	2.0
7	李梅	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	10	29	3.0	4.0