2.0μm波段Sb基多量子阱材料的制备

• 作者: 刘国军 尤明慧 曲轶 李占国 李林 王晓华 邓昀 高欣
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 多量子阱 分子束外延 中红外波段
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 505-507
• 页数: 3页
• 分类号: O436
• 字数: 1841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132502.0505

摘要

采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料.室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0μm左右.该结果表明,通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料,可以获得良好的结构质量和光学特性.所制备的器件室温条件下输出功率22 mW,阈值电流300 mA.