硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制

• 作者: 刘和初 周毛兴 方文卿 江风益 莫春兰
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: Si衬底 MOCVD GaN LED 多量子阱
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 新材料技术
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 2449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2005.05.013

摘要

利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7～4.1V之间,电致发光波长在465～480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18～30mcd.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	24	177	7.0	12.0
2	方文卿	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	23	200	8.0	13.0
3	刘和初	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	5	69	4.0	5.0
4	周毛兴	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	2	57	2.0	2.0
5	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0