InGaN/GaN 多量子阱 LED 载流子泄漏与温度关系研究

• 作者: 伍菲菲 何沅丹 全知觉 刘诗涛 张建立 杨祺 王立 黄海宾
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN/ GaN 多量子阱 发光二极管 载流子泄漏 量子效率
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: ?器件制备及器件物理?
• 页码范围: 63-69
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1|O484.4
• 字数: 3925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173801.0063

摘要

通过测量光电流,直接观察了 InGaN／ GaN 量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当 LED 温度从300 K 升高到360 K 时,在相同的光照强度下,LED 的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN／ GaN 量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是 InGaN 多量子阱 LED 发光效率随温度升高而降低的重要原因。