垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性

• 作者: 刘建平 沈光地 牛南辉 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 X射线双晶衍射 原子力显微镜 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7295-7299
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.080

摘要

利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长InGaN/GaN多量子阱结构.对多量子阱垒层掺In和非掺In进行了比较研究,结果表明,垒掺In 的样品界面质量变差,但明显增加了光致发光谱的峰值强度和积分强度,带边峰与黄光峰强度之比增大,降低了表面粗糙度.利用这两种结构制备了相应的发光二极管(LED)样品.通过电荧光测量可知,垒掺In的LED比非掺In的LED有较高的发光强度和相对均匀的波长,这主要是由于垒掺In后降低了阱与垒之间晶格失配的应力,从而降低了极化电场,提高了辐射复合效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学电子信息与控制工程学院	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	219	7.0	10.0
3	韩军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	39	181	7.0	11.0
4	邢艳辉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	59	5.0	6.0
5	刘建平	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	34	3.0	5.0
6	牛南辉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	49	5.0	7.0