引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究

• 作者: 李建军 沈光地 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 原子力显微镜 X射线双晶衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 590-595
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.094

摘要

利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构.研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱特性,结果表明通过引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层缓解了量子阱有源区中的应力,改善了多量子阱表面形貌,减少了V型缺陷密度,而且提高了多量子阱的光致发光强度,从而也改进了LED的发光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学电子信息与控制工程学院	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	219	7.0	10.0
3	韩军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	39	181	7.0	11.0
4	李建军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	52	234	7.0	12.0
5	邢艳辉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	59	5.0	6.0