InGaN/GaN量子阱垒层和阱层厚度对GaN基激光器性能的影响及机理?

• 作者: 周梅 赵德刚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN基激光器 InGaN/GaN量子阱 垒层和阱层厚度
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 077802-1-077802-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.077802

摘要

采用LASTIP软件研究了InGaN/GaN(In组分为15%)量子阱垒层和阱层厚度对GaN基蓝紫光激光器性能的影响及机理.模拟计算结果表明，当阱层太薄或太厚时， GaN基激光器的阈值电流增加、输出功率下降，最优的阱层厚度为4.0 nm左右；当阱层厚度太薄时，载流子很容易泄漏，而当阱层厚度太厚时，极化效应导致发光效率降低，研究还发现，与垒层厚度为7 nm 相比，垒层厚度为15 nm时激光器的阈值电流更低、输出功率更高，因此适当地增加垒层厚度能显著抑制载流子泄漏，从而改善激光器性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	周梅	中国农业大学理学院应用物理系	22	69	5.0	7.0