垒层厚度对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理

• 作者: 周梅 易淋凯 赵德刚 黄佳琳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN/GaN 多量子阱 垒层厚度 电注入发光
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 208-213
• 页数: 6页
• 分类号: TN383
• 字数: 4410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183902.0208

摘要

研究了不同垒厚对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理.实验发现,当GaN垒层的厚度从6 nm增大到24 nm时,垒厚的样品发光强度更强,而且当注入电流增加时,适当增加垒厚,可以更显著增加发光强度.进一步结合发光峰位和光谱宽度的研究表明,由于应力和极化效应的存在,当垒层厚度在6～24 nm范围内时,适当增加垒层厚度不仅会使得能带的倾斜加剧,减少电子泄露,而且也会增加InGaN阱层的局域态深度,从而改善量子阱的发光性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	周梅	中国农业大学应用物理系	22	69	5.0	7.0
3	易淋凯	中国农业大学应用物理系	2	1	1.0	1.0
4	黄佳琳	中国农业大学应用物理系	2	1	1.0	1.0