In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

• 作者: 张纪才 杨辉 王建峰 王玉田
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: x射线三轴晶衍射 界面粗糙度 位错 InGaN/GaN多量子阱
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 2467-2471
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.012

摘要

利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN多量子阱中充当非辐射复合中心.试验同时发现此生长参数对刃位错的影响远大于对螺位错的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	179	2701	25.0	46.0
2	王玉田	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	13	28	3.0	5.0
3	张纪才	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	7	43	3.0	6.0
4	王建峰	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	15	36	3.0	5.0