Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究

• 作者: 张萌 朱华 李翠云 江风益 莫春兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MQW Si衬底 位错 TEM SEM
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 539-543
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 4335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.026

摘要

用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KoH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AIN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张萌	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	69	569	12.0	20.0
2	莫春兰	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	24	177	7.0	12.0
3	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
4	朱华	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	30	108	6.0	8.0
6	李翠云	景德镇陶瓷学院机电学院	19	69	6.0	6.0