量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响

• 作者: 丁杰 刘军林 吴小明 张建立 徐龙权 江风益 王光绪 王小兰 莫春兰 邱岳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD InGaN/GaN量子阱 黄光LED 生长气压 光电性能
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 961-967
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4|TH691.9
• 字数: 3963字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183907.0961

摘要

采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料,研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响.使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和荧光显微镜(FL)对晶体质量进行了表征,使用电致发光系统积分球测试对光电性能进行了表征.结果表明:随着气压升高,In的并入量略有降低且均匀性更好,量子阱中的点缺陷数目降低,但是阱垒间界面质量有所下降.在实验选取的4个气压4,6.65,10,13.3 kPa下,外量子效率最大值随着量子阱生长气压的上升而显著升高,分别为16.60％、23.07％、26.40％、27.66％,但是13.3 kPa下生长的样品在大电流下EQE随电流droop效应有所加剧,在20 A·cm-2的工作电流下,样品A、B、C、D的EQE分别为16.60％、19.77％、20.03％、19.45％,10 kPa下生长的量子阱的整体光电性能最好.