In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响

• 作者: 刘颂豪 李国斌 陈长水
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In含量 效率下降 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1233-1239
• 页数: 7页
• 分类号: O47
• 字数: 3769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133409.1233

摘要

运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系.分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因.当In含量较低时,随着电流密度增大(＜8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(＞8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低；而当In含量较高时,随着电流密度增大,光谱发生蓝移程度相对较大,但在电流密度较大时,会获得较高的发光功率.因此,为了使InGaN/GaN发光二极管获得最大量子效率与发光效率,应该根据电流密度的大小(8 kA/cm2)来选择In含量的高低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘颂豪	华南师范大学信息光电子科技学院广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室	308	3297	27.0	39.0
2	陈长水	华南师范大学信息光电子科技学院广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室	23	100	6.0	9.0
3	李国斌	华南师范大学信息光电子科技学院广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室	3	10	3.0	3.0