V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响

• 作者: 刘军林 张建立 潘拴 王小兰 聂晓辉 莫春兰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底 近紫外LED 低温GaN插入层 V形坑尺寸 光电性能
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 735-741
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4|TN383+.1
• 字数: 4417字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173806.0735

摘要

使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响.结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随着插入层厚度的增加而增大.在电学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,-5 V下的漏电流从5.2×10-4 μA增加至6.5×102 μA;350 mA下正向电压先从3.55 V降至3.44 V,然后升高至3.60 V.在光学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,35 A/cm2下的归一化外量子效率先从0.07提高至最大值1,然后衰退至0.53.对V形坑尺寸影响InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的物理机理进行了分析,结果表明:InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与V形坑尺寸密切相关,最佳的V形坑尺寸为120~190 nm,尺寸太大或者太小都会降低器件性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	24	177	7.0	12.0
2	张建立	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	6	6	2.0	2.0
3	刘军林	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	10	71	4.0	8.0
4	潘拴	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	4	2	1.0	1.0
5	王小兰	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	4	16	2.0	4.0
6	聂晓辉	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0