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摘要:
基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升.在35 A/cm2的电流密度下,主波长为520 nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6%和362.3 mW,这是截至目前报道的最高记录.通过分析表明,其潜在的物理机制归结于p-AlGaN插入层能够提高空穴从V坑注入的效率.本文提供了一种有效提升发光效率的方法,尤其适合于含有V坑结构的InGaN/GaN LED.
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文献信息
篇名 InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 绿光LED p-AlGaN插入层(IL) 外量子效率 V坑 空穴注入效率
年,卷(期) 2019,(9) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 1108-1114
页数 7页 分类号 O482.31|O484.4
字数 908字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20194009.1108
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 江风益 4 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
绿光LED
p-AlGaN插入层(IL)
外量子效率
V坑
空穴注入效率
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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