InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响

• 作者: 丁杰 余浩 刘军林 江风益 潘拴 莫春兰 郑畅达
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 绿光LED p-AlGaN插入层(IL) 外量子效率 V坑 空穴注入效率
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1108-1114
• 页数: 7页
• 分类号: O482.31|O484.4
• 字数: 908字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194009.1108

摘要

基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升.在35 A/cm2的电流密度下,主波长为520 nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6％和362.3 mW,这是截至目前报道的最高记录.通过分析表明,其潜在的物理机制归结于p-AlGaN插入层能够提高空穴从V坑注入的效率.本文提供了一种有效提升发光效率的方法,尤其适合于含有V坑结构的InGaN/GaN LED.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江风益		4	1	1.0	1.0