p-AlGaN/GaN超晶格做p型层350 nm紫外AlGaN基LED

• 作者: 丁娟 孟锡俊 王丹丹 韩孟序
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN基紫外LED AlGaN/GaN超晶格 I-V特性
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 136-138
• 页数: 3页
• 分类号: TN23
• 字数: 1420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2015.03.036

摘要

使用p-AlGaN/p-GaN SPSLs作为LED的p型层,在蓝宝石衬底上生长出发光波长为350 nm的AlGaN基紫外LED.由于AlGaN/GaN超晶格的极化效应,使得Mg受主的电离能降低,大幅提高了器件的光学和电学性能.在工作电流为350 mA下发光亮度达到了22.66 mW,相应的工作电压为3.75 V,LEDs的光功率满足了实际应用需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丹丹	西安电子科技大学宽禁带半导体国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
2	韩孟序	西安电子科技大学宽禁带半导体国家重点实验室	4	4	1.0	1.0
3	丁娟	西安电子科技大学宽禁带半导体国家重点实验室	3	7	2.0	2.0
4	孟锡俊		1	1	1.0	1.0