p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究

• 作者: 毛清华 江风益 程海英 郑畅达
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氮化镓 p-AlGaN 绿光LED 量子效率
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 8078-8082
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即 droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
2	郑畅达	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	9	51	5.0	7.0
3	毛清华	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	3	15	2.0	3.0
4	程海英	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	5	69	4.0	5.0