多量子势垒电子阻挡层对UV LED性能的影响

• 作者: 李培咸 王晓波 白俊春 黄永
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 多量子阱电子阻挡层 UV LED 光输出功率
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 184-186
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2372字
• 语种: 中文

摘要

研究了不同厚度的多量子势垒电子阻挡层(MQB-EBLs)对InGaN UV LED的效率的影响.分析了影响不同厚度MQB-EBLs的LED光输出功率(LOP)的主要因素.实验表明,MQB-EBLs的量子阱层和势垒层厚度为分别为2 nm和3 nm时,387 nm UV LED的LOP可显著地提升到8.47 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李培咸	西安电子科技大学宽禁带半导体重点实验室	36	324	10.0	17.0
2	白俊春		2	0	0.0	0.0
3	黄永	西安电子科技大学宽禁带半导体重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	王晓波		1	0	0.0	0.0