不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响

• 作者: 俞鑫 刘建朋 徐晨 曹伟伟 朱彦旭 邓叶 郭伟玲
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管(LED) 电流阻挡层(CBL) 光效
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 480-483
• 页数: 4页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 2323字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133404.0480

摘要

电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响.本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL.通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	74	656	10.0	23.0
2	俞鑫	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	6	50	5.0	6.0
3	朱彦旭	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	21	79	6.0	8.0
4	刘建朋	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	5	36	5.0	5.0
5	曹伟伟	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	3	15	3.0	3.0
6	邓叶	北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室	3	15	3.0	3.0