界面介质层对GaN基LED漏电流的影响

• 作者: 姚光锐 李军 杨昊 范广涵
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 发光二极管 介质层 欧姆接触 漏电流
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 615-618
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2008.05.018

摘要

在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制.通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟,讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响,发现介质层电阻比LED的串联电阻小得多,可以忽略不计;但是随着器件的老化,介质层及其所含的缺陷会产生相当大的漏电流,使器件的可靠性和稳定性下降,也为LED的失效机理提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	姚光锐	华南师范大学光电子材料与技术研究所	4	9	2.0	2.0
3	李军	华南师范大学光电子材料与技术研究所	34	75	5.0	6.0
4	杨昊	华南师范大学光电子材料与技术研究所	5	7	2.0	2.0