GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响

• 作者: 孙重清 宋颖娉 张剑铭 沈光地 董立闽 邹德恕 郭霞 顾晓玲 高国
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 固态照明 环状N电极 总辐射功率 电流扩展
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 872-875
• 页数: 4页
• 分类号: TN383
• 字数: 1301字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.024

摘要

GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用.制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高.通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相差8%,验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展,减少器件串联电阻,减少了焦耳热的产生,提高了LED电光特性和可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭霞	北京工业大学光电子试验室	54	397	11.0	16.0
2	董立闽	北京工业大学光电子试验室	7	30	4.0	5.0
3	邹德恕	北京工业大学光电子试验室	58	270	10.0	12.0
4	高国	北京工业大学光电子试验室	22	459	8.0	21.0
5	张剑铭	北京工业大学光电子试验室	11	85	6.0	9.0
6	顾晓玲	北京工业大学光电子试验室	12	126	7.0	11.0
7	宋颖娉	北京工业大学光电子试验室	6	81	4.0	6.0
8	孙重清	北京工业大学光电子试验室	1	4	1.0	1.0