氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

• 作者: 于彤军 张国义 张昊翔 李忠辉 杨志坚 秦志新 胡晓东 陈志忠
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓基LED 欧姆接触 氧化
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN141|TN312.8
• 字数: 2398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.001

摘要

研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义		2	11	1.0	2.0
2	秦志新		1	11	1.0	1.0
3	陈志忠		1	11	1.0	1.0
4	于彤军		1	11	1.0	1.0
5	张昊翔		1	11	1.0	1.0
6	胡晓东		1	11	1.0	1.0
7	杨志坚		1	11	1.0	1.0
8	李忠辉		1	11	1.0	1.0