GaN基异质结缓冲层漏电分析

• 作者: 刘林杰 张进城 秦雪雪 董作典 郑鹏天 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结 GaN缓冲层 漏电 成核层
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物持:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1959-1965
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.03.091

摘要

通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张进城	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	52	301	9.0	14.0
2	董作典	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	15	2.0	2.0
3	秦雪雪	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	11	1.0	1.0
4	郑鹏天	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	11	1.0	1.0
5	刘林杰	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	15	2.0	2.0