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摘要:
尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料-阳极氧化铝.在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火,然后进行GaN外延生长.对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析,并将得到的GaN材料制备成光导型的紫外光电探测器,器件在330~380nm紫外光区域有明显响应,最高响应度为3.5A/W(5V偏压).
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长
来源期刊 高技术通讯 学科 工学
关键词 GaN 阳极氧化铝 缓冲层 紫外探测器
年,卷(期) 2002,(4) 所属期刊栏目 新材料技术
研究方向 页码范围 52-54
页数 3页 分类号 TN3
字数 1691字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1002-0470.2002.04.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴兴龙 南京大学物理系 12 63 5.0 7.0
2 顾书林 南京大学物理系 46 261 9.0 14.0
3 张荣 南京大学物理系 134 576 13.0 17.0
4 沈波 南京大学物理系 34 136 7.0 10.0
5 赵作明 南京大学物理系 5 21 3.0 4.0
6 梅永丰 南京大学物理系 1 1 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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2002(0)
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2006(1)
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研究主题发展历程
节点文献
GaN
阳极氧化铝
缓冲层
紫外探测器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高技术通讯
月刊
1002-0470
11-2770/N
大16开
北京市三里河路54号
82-516
1991
chi
出版文献量(篇)
5099
总下载数(次)
14
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
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