阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长

• 作者: 吴兴龙 张荣 梅永丰 江若琏 沈波 王军转 赵作明 郑有炓 陈鹏 顾书林
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 阳极氧化铝 缓冲层 紫外探测器
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 新材料技术
• 页码范围: 52-54
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1691字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2002.04.012

摘要

尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料-阳极氧化铝.在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火,然后进行GaN外延生长.对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析,并将得到的GaN材料制备成光导型的紫外光电探测器,器件在330～380nm紫外光区域有明显响应,最高响应度为3.5A/W(5V偏压).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴兴龙	南京大学物理系	12	63	5.0	7.0
2	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
3	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
4	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
5	赵作明	南京大学物理系	5	21	3.0	4.0
6	梅永丰	南京大学物理系	1	1	1.0	1.0