高温泄漏电流对反相器直流传输特性的影响

• 作者: 张海鹏 秦会斌 程筱军
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 泄漏电流失配 反相器 高温 直流传输特性
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2004.01.011

摘要

在本征CMOS反相器直流传输特性和所提出的离子注入浅结近似理论基础上,研究了N+衬底外延P阱CMOS反相器的源-漏结泄漏电流失配对其高温直流传输特性的影响,提出采用双阱或N阱工艺使PMOSFET的衬底浓度高于NMOSFET的衬底浓度,并适当减小PMOSFET漏区宽度的方法,可以减弱源-漏结泄漏电流失配的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海鹏		36	96	5.0	7.0
2	秦会斌		237	1329	17.0	25.0
3	程筱军		12	31	3.0	4.0